Платформа GaN IPD от Borui Jixin, представляющая собой высокомощную пассивную технологию, расширяет границы интегрированного питания

2026-07-06

Беспроводная связь, радары, средства радиоэлектронной борьбы и другие системы продолжают развиваться в направлении увеличения мощности и степени интеграции, что создает проблемы для пассивных устройств с постоянно растущей плотностью мощности. Традиционные решения на основе GaAs IPD обладают преимуществами в радиочастотных характеристиках и интеграции, но их устойчивость к высоким мощностным режимам ограничена. Разработчикам систем часто приходится делать компромисс между интеграцией и резервированием питания, а в некоторых сценариях необходим переход к более крупным решениям, таким как керамические тонкие пленки или резонаторы.

расширяет границы интегрированного питания-1 (1)

Компания Borui Jixin выпустила высокопроизводительную пассивную технологическую платформу на основе своего уникального процесса GaN. Сохраняя размеры и стабильность на уровне чипа, характерные для устройств IPD (Integrated Device Processing), она расширяет возможности обработки мощности до уровня сотен ватт и выше, открывая новый технологический путь для пассивной интеграции в высокочастотные системы высокой мощности.

Технологический прорыв: это не просто «маленький размер», это «мощность»

Технология IPD интегрирует пассивные компоненты, такие как резисторы, конденсаторы и индукторы, на одном чипе, обеспечивая миниатюризацию и высокую стабильность. Традиционные GaAs IPD обеспечивают превосходные радиочастотные характеристики, но ограничения по мощности обусловлены двумя фундаментальными факторами: теплопроводность подложки GaAs составляет всего около 46 Вт/(м·К), что приводит к накоплению тепла и ухудшению характеристик; а также ограничена собственная напряженность пробоя, что ограничивает способность устройства выдерживать напряжение.

Компания Borui Jixin использует технологию GaN IPD для решения этих проблем на уровне материалов. Высокая теплопроводность подложек из SiC, высокая прочность на пробой GaN и низкие диэлектрические потери на высоких частотах позволяют устройствам IPD значительно улучшить возможности обработки мощности в рамках того же размера кристалла, одновременно обеспечивая низкие вносимые потери, миниатюризацию и высокую стабильность характеристик.

GaN IPD в сравнении с аналогичными решениями

Сравнительные характеристики:	GaN IPD (Это решение)	Фотодетекторы на основе GaAs	Керамические/тонкопленочные решения
Мощность обработки данных	Сотни ватт и выше	Обычно в диапазоне ватт	Уровень мощности до 100 Вт
Потери на высоких частотах	Низкое энергопотребление	Низкое качество	Относительно высокое энергопотребление
Интеграция и размеры	Уровень чипа, масштаб мм²	Уровень чипа, масштаб мм²	Большие габариты
Соответствие стандартам и возможности массового производства	Технологический процесс на уровне пластины, высокая стабильность	Технологический процесс на уровне пластины, хорошая стабильность	Зависит от сборки и ввода в эксплуатацию

Этот технологический подход расширяет область применения IPD от традиционных источников питания до мощных сценариев на уровне сотен ватт, открывая новый путь для интеграции мощных пассивных элементов в высокочастотные системы, обеспечивающий баланс между мощностью, потерями и размерами.

Платформа продукта: Платформа мощных пассивных технологий GaN IPD. На основе уникального процесса GaN компания Borui Jixin создала портфель продуктов, охватывающий множество категорий, широкий частотный диапазон и высокие уровни мощности.

l Категории: Делители мощности, соединители, фильтры, силовые нагрузки, фиксированные аттенюаторы и т. д.

l Частота: DC~50 ГГц

l Мощность: Уровень сотен ватт и выше, возможность индивидуальной настройки

l Форма выпуска: Доступны различные варианты, включая микросхемы без корпуса и в корпусе.

Примеры серий дисплеев

Соединители | Делители мощности | Нагрузки | Стационарные аттенюаторы

Типы продукции	Технические характеристики индикатора	Выдерживает нагрузку
Соединители	0,36~1 ГГц, связь 20 дБ, вносимые потери ≤0,35 дБ	100W
	2~6 ГГц, связь 20 дБ, вносимые потери ≤0,25 дБ	100W
	6~18 ГГц, связь 15 дБ, вносимые потери ≤0,6 дБ	100W
	8~12 ГГц, связь 15 дБ, вносимые потери ≤0,4 дБ	100W
	14~18 ГГц, связь 15 дБ, вносимые потери ≤0,35 дБ	100W
	14~18 ГГц, связь 20 дБ, вносимые потери ≤0,25 дБ	100W
Разветвители мощности	0,5–3 ГГц, вносимые потери ≤1,4 дБ	30W
Разветвители мощности	2–5 ГГц, вносимые потери ≤1 дБ	50W
Нагрузки мощности	DC–12 ГГц, 125 Вт	125W
Нагрузки мощности	DC–20 ГГц, 50 Вт	50W
Фиксированные аттенюаторы	DC~40GHz, 1dB, равномерность затухания ±0.15	20W
	DC~40GHz, 2dB, равномерность затухания +0.2	20W
	DC~40GHz, 3dB, равномерность затухания +0.25	20W
	DC~40GHz, 4dB, равномерность затухания +0.3	20W
	DC~40GHz, 5dB, равномерность затухания +0.2	20W
	DC~40GHz, 6dB, равномерность затухания +0.1	20W
	DC~40GHz, 8dB, равномерность затухания +0.2	20W
Примечание: В таблице приведены только измеренные показатели образца платформы. Вся серия может быть адаптирована под нужды заказчика.

Основные преимущества

Платформа пассивных высоковольтных GaN IPD: широкая полоса пропускания | высокая мощность | возможность индивидуальной настройки

Пять преимуществ интеграции объемного звука:

1. Высокая устойчивость к высоким нагрузкам

2. Низкие вносимые потери

3. Миниатюрная интеграция

4. Отличная стабильность

5. Быстрая доставка с возможностью индивидуальной настройки

расширяет границы интегрированного питания-1 (2)

Компания Borui Jixin использует свои обширные возможности сотрудничества и платформу для обработки GaN-микросхем, чтобы предоставлять клиентам полный спектр услуг от выбора продукта до доставки, обеспечивая эффективный переход от образца к серийному производству.

Преимущества сервиса

Гибкие формы выпуска продукции: Поддержка различных форм, таких как микросхемы без корпуса и упакованные пластины, для адаптации к различным потребностям системной интеграции.

Возможности индивидуальной настройки: Частотные диапазоны и уровни мощности могут быть скорректированы по мере необходимости, что поддерживает разработку по индивидуальному заказу.

Быстрая доставка: Использование преимуществ масштабируемости процессов на уровне пластин обеспечивает эффективный переход от разработки образцов к серийному производству.

Для выбора продукта, решений в области цепочки поставок, технической отладки и запросов образцов, пожалуйста, свяжитесь с техническими специалистами и отделом продаж Borui Jixin. Мы можем предоставить персонализированные услуги по индивидуальной настройке в соответствии с вашими потребностями.

Предыдущий Следующий

Последние новости

[Запуск нового продукта] Расширение возможностей каналов передачи данных | Компания Borui Jixin запускает серию высокоэффективных MMIC-драйверов усилителей