Производство пластин
«Мы специализируемся на передовых технологических процессах и предоставляем высококачественные услуги контрактного производства.
Мы охватываем различные технологические процессы GaN HEMT с проектными нормами от 0,25 до 0,45 мкм, поддерживаем высоковольтные и высокочастотные применения и благодаря пассивации SiN, резисторам TaN и технологии сквозных отверстий обеспечиваем выдающиеся возможности изготовления МИС СВЧ и кристаллов мощных транзисторов.»
Стандартный техпроцесс 0,25 мкм
Технология GaN HEMT с Т-образным затвором (T-gate) длиной 0,25 мкм, в которой пассивация SiN эффективно подавляет эффект коллапса тока, а технология истоковой полевой пластины (Source Field Plate) используется для перераспределения электрического поля в канале и значительного повышения напряжения пробоя прибора. Платформа технологического процесса включает МИМ-конденсаторы и тонкоплёночные резисторы TaN, обеспечивая высокоточное изготовление пассивных компонентов; одновременно используется межсоединение «воздушный мостик» (Air Bridge) для снижения паразитной ёмкости и перекрёстных помех в условиях высокой мощности, а также технология сквозных отверстий в SiC с обратной стороны (through SiC Via) для заземления с низким тепловым сопротивлением. Данный технологический процесс предназначен в основном для изготовления МИС СВЧ и мощных транзисторов, работающих в диапазоне до Ku-диапазона включительно, со стандартным рабочим напряжением Vds 28 В.
Стандартный техпроцесс 0,45 мкм
Технология GaN HEMT с Т-образным затвором (T-gate) длиной 0,45 мкм, в которой пассивация SiN эффективно подавляет эффект коллапса тока, а технология истоковой полевой пластины (Source Field Plate) оптимизирует распределение электрического поля в канале и значительно повышает напряжение пробоя прибора. Платформа технологического процесса включает МИМ-конденсаторы и тонкоплёночные резисторы TaN, обеспечивая высокоточную интеграцию пассивных компонентов; одновременно используется межсоединение «воздушный мостик» (Air Bridge) для снижения паразитной ёмкости и перекрёстных помех в условиях высокой мощности, а также технология сквозных отверстий в SiC с обратной стороны (through SiC Via) для заземления с низким тепловым сопротивлением. Данный технологический процесс предназначен в основном для изготовления мощных транзисторов для S-диапазона и более низких частот, обладает повышенным рабочим напряжением и выходной мощностью; стандартное рабочее напряжение Vds составляет 48 В.
Специальные технологические узлы
На основе различных узлов фирменной технологии Boncom мы предлагаем изделия с высокой мощностью, высоким КПД и высокой линейностью.
Корпусирование
«Мы предлагаем прецизионное корпусирование, обеспечивающее превосходные межсоединения микросхем.
Мы предлагаем широкий выбор корпусов — от стандартных QFN/DFN и SOT до высококлассных корпусов с воздушной полостью ACP. Мы обеспечиваем возможность сверхбыстрой поставки и благодаря передовым конструктивным решениям эффективно решаем ключевые проблемы высокочастотных микросхем, связанные с межсоединениями и отводом тепла.»
Стандартное корпусирование
Поддерживаем высоконадёжное корпусирование в таких типах корпусов, как QFN32, QFN24, QFN16, DFN8, DFN2, SOT89, SOT343, eMSOP8 (надёжность соответствует китайскому государственному военному стандарту уровня N1). Выход годных при корпусировании для всех указанных типов корпусов стабильно превышает 99%.
Быстрое корпусирование
Образцы с непокрытой медью поставляются в минимальный срок 1,5 дня, готовая продукция с гальваническим покрытием — за 2 дня. При этом выход годных не зависит от сроков поставки.
Корпуса с воздушной полостью ACP
Предоставляем решения по корпусированию высокочастотных микросхем.
Специальные технологические процессы
«Дифференцированные решения для глубокой кастомизации в различных областях применения.
Мы предоставляем услуги высокоточного утонения, лазерной резки, резки алмазным диском и автоматической сортировки кристаллов. Поддерживаем работу с пластинами диаметром 4/6 дюймов из различных материалов, включая SiC и GaAs. По требованию заказчика предоставляем гибкие отдельные технологические операции, помогая достичь предельной точности технологического процесса.»
Утонение
Утонение 4/6-дюймовых SiC-пластин: ≥75 мкм.
Утонение 4/6-дюймовых Si-пластин: ≥200 мкм.
Сортировка кристаллов
Сортировка кристаллов размером от 400×400 мкм на УФ-плёнку.
Прочие технологические операции
По требованию заказчика предоставляем отдельные технологические операции на различных этапах.
Лазерная резка
4/6-дюймовые SiC-пластины толщиной 50–500 мкм, сколы ≤15 мкм, минимальная ширина реза 60 мкм.
Резка алмазным диском
Для SiC толщиной 100 мкм — ширина реза ≥60 мкм; для GaAs толщиной 100 мкм — ширина реза ≥30 мкм.
Поддержка проектирования
«Всесторонний анализ и испытания для обеспечения минимального уровня качества микросхем.
Мы оснащены передовым аналитическим оборудованием, включая камеры ускоренного старения, камеры термовлажностных циклических испытаний, SEM/FIB и другое. Благодаря глубокому моделированию отказов и диагностике первопричин отказов мы проводим системную оценку надёжности микросхем, обеспечивая устойчивость и соответствие требованиям на протяжении всего жизненного цикла продукции.»
Испытания на надёжность
Имеются камеры термоудара/термоциклирования, камеры ускоренного старения, оборудование DMA, TMA и другое оборудование для испытаний на надёжность. Они в основном используются для циклических испытаний на воздействие температуры и влажности, а также для различных видов испытаний на надёжность микросхем.
Анализ отказов
Обладаем большим опытом в области анализа отказов. Используем такие методы анализа отказов (FA), как SAT, DECAP, X-RAY, SEM, FIB. Путём анализа и верификации мы моделируем и воспроизводим явления отказов, выявляем причины отказов и исследуем механизмы отказов, что позволяет принимать эффективные корректирующие меры.
Интеллектуальная производственная система
｜Управление производственным процессом
Планирование производственных заказов, межоперационное перемещение и стандартизация технологических маршрутов обеспечивают выполнение производства в соответствии с планом и технологическим процессом.
｜Сквозная прослеживаемость и запросы данных
Прослеживаемость по всей цепочке от сырья до готовой продукции по партиям / отдельным изделиям; быстрое определение первопричин проблем.
｜Управление оборудованием
Мониторинг состояния оборудования, сбор эксплуатационных данных, анализ OEE и управление планами технического обслуживания.
｜Управление качеством
Управление входным контролем, контролем в процессе производства и контролем готовой продукции, управление несоответствующей продукцией, статистический анализ данных о качестве.
｜Безбумажное управление
Электронные SOP, электронные формы и электронные канбан-доски обеспечивают безбумажную работу на производственных участках.
｜Интеллектуальная панель поддержки принятия решений
Агрегирование в реальном времени данных об эффективности цехов и производственных линий; на основе BI-отчётов осуществляется бережливое управление и оптимизация распределения ресурсов.
